[发明专利]用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元

摘要

本发明提供一种存储器单元选择的方法，及获得宽编程带宽及EEPROM清除性能的操作，在取读期间，可同时选择在一存储器单元中的两储存区，再者，在编程期间，产生电流流动的能量来源可动态的从已选取位线上的储存电荷而获得，若位线电容无法足够提供一所需的电荷，从未选取位线借用额外的位线电容，或可使用一源极输出晶体管。

主权项

1.一种在一MONOS存储器单元中编程多个储存区的方法，包括：a)选取一存储器阵列的一第一存储器单元，其在控制栅极下包含有一第一及第二储存区，可物理地或电性地连接在一起，以形成一单控制栅极；b)施加一第一高电压到该第一存储器单元的一已选取位线上；c)施加一第二高电压到该第一存储器单元的该控制栅极上；d)施加一第一电流决定电压到一第一未选取存储器单元的第一位线上，该第一未选取存储器单元与该第一存储器单元相邻；e)施加一第二电流决定电压到一第二存储器单元的第二位线上，该第二存储器单元与该第一存储器单元相邻；f)使用该第一电流产生的CHE(沟道热电子)注入，编程该第一储存区；及g)使用该第二电流产生的CHE注入，编程该第二储存区，且同时编程该第一储存区。