[发明专利]静电放电保护元件有效
申请号: | 02126480.5 | 申请日: | 2002-07-23 |
公开(公告)号: | CN1457096A | 公开(公告)日: | 2003-11-19 |
发明(设计)人: | 陈东旸;唐天浩 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹科 *** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种静电放电保护元件,其包括配置在一基底中的一第一寄生双载子晶体管、一第二寄生双载子晶体管、一第三寄生双载子晶体管以及一第四寄生双载子晶体管。在第一寄生双载子晶体管与一第二寄生双载子晶体管之间更包括配置有一第一长形掺杂区,第三寄生双载子晶体管与一第四寄生双载子晶体管之间更包括配置有一第二长形掺杂区。在基底的周围则是配置有一防护环。而防护环的内部则是配置有一隔离区。其中,防护环与第一/第二长形掺杂区共同连接至一接地电位。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 元件 | ||
【主权项】:
1.一种静电放电保护元件,其特征是,该元件包括:一基底;一第一寄生双载子晶体管,配置在该基底中,该第一寄生双载子晶体管具有一第一发射极、一第一集电极以及一第一基极;一第二寄生双载子晶体管,配置在该基底中,该第二寄生双载子晶体管具有一第二发射极、一第二集电极以及一第二基极,其中该第二集电极相邻于该第一集电极;一第一长形掺杂区,配置在该第一集电极以及该第二集电极之间;一第三寄生双载子晶体管,配置在该基底中,该第三寄生双载子晶体管具有一第三发射极、一第三集电极以及一第三基极,其中该第三发射极与该第二射极相连接;一第四寄生双载子晶体管,配置在该基底中,该第四寄生双载子晶体管具有一第四发射极、一第四集电极以及一第四基极,其中该第四集电极相邻于该第三集电极;一第二长形掺杂区,配置在该第四集电极以及该第三集电极之间;一防护环,配置在该基底的周围;以及一隔离区,配置在该防护环的内部,以使该防护环与该第一/第二/第三/第四寄生双载子晶体管隔离开来,并同时使该第一集电极、该第一长形掺杂区以及该第二集电极之间隔离开来,使该第三集电极、该第二长型掺杂区以及该第四集电极之间隔离开来。
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