[发明专利]缩小图案间隙且确保该间隙的方法有效
| 申请号： | 02126486.4 | 申请日： | 2002-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1440051A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 梁明中;蔡信谊;钟嘉麒 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种缩小图案间隙且确保该间隙的方法，是一种半导体工艺，先定义一基底，再在基底上沉积一第一层。然后在第一层上提供一保护层，再在保护层上提供一罩幕层。接着，图案化并定义这层罩幕层，以形成具有至少一大体上垂直的侧壁与一大体上水平的顶部的至少一罩幕结构。随后，利用具有至少一反应气体的化学气相沉积工艺在罩幕结构与保护层上沉积一遮盖层，其中保护层是不与该用以形成遮盖层的反应气体反应的。最后，非等向性蚀刻保护层以及第一层。 | ||
| 搜索关键词： | 缩小 图案 间隙 确保 方法 | ||
【主权项】：
1.一种缩小图案间隙且确保该间隙的方法，其特征在于：包括：定义一基底；在该基底上沉积一第一层；在该第一层上提供一保护层；在该保护层上提供一罩幕层；图案化并定义该罩幕层；利用具有至少一反应气体的一化学气相沉积工艺在图案化并定义的该罩幕层上沉积一第二层，其中该保护层是与该至少一反应气体不反应的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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