[发明专利]半导体器件的工作方法有效
申请号: | 02126834.7 | 申请日: | 2002-07-22 |
公开(公告)号: | CN1167130C | 公开(公告)日: | 2004-09-15 |
发明(设计)人: | 凯·埃斯马克;哈拉尔德·格斯纳;菲利普·里斯;沃尔夫冈·施塔德勒;马丁·施特赖布尔;马丁·文德尔 | 申请(专利权)人: | 印芬龙科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L21/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王仲贤 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体器件的工作方法,所述半导体器件具有一个基片(1;5);一个附着在基片(1;5)上的导电的多晶硅条(10;10a-d);第一和第二电触点与导电的多晶硅条(10;10a-d)连接,使多晶硅条构成两者之间的电阻,其中半导体器件在一电流/电压范围内以可逆的方式工作,其中该半导体器件在达到一与上限电压值(Vτ)相符的极限电流值(Iτ)之前具有一个第一微分电阻(Ddiff1)并且当电流超过此极限电流值时具有一第二微分电阻(Ddiff2),第二微分电阻(Ddiff2)小于第一微分电阻(Ddiff1)。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 工作 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件的工作方法,所述半导体器件具有一个基片(1;5);一个附着在基片(1;5)上的具有微分电阻特性的导电的多晶硅条(10;10a-d);第一和第二电触点与导电的多晶硅条(10;10a-d)连接,使多晶硅条构成两者之间的电阻,其中半导体器件在一电流/电压范围内以可逆的方式工作,其中该半导体器件在达到一与上限电压值(Vτ)相符的极限电流值(Lτ)之前具有一个第一微分电阻(Ddiff1)并且当电流超过此极限电流值时具有一第二微分电阻(Ddiff2),第二微分电阻(Ddiff2)小于第一微分电阻(Ddiff1)。
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