[发明专利]以金属硬遮罩层制作双镶嵌插销的方法

摘要

本发明有关一种制作双镶嵌(copperdualdamascene)插销(via)的方法，特别是有关一种以金属硬遮罩层(metalhardmasklayer)制作双镶嵌插销的方法。本发明利用一金属层作为硬遮罩层，以使插销形成之后，隔离层(isolationlayer)的表面可维持一平面而非一圆滑凸面，以防止插销相互连结而产生漏电流的缺陷。

主权项

1.一种制作一双镶嵌插销的方法，其特征在于，该方法至少包括：提供一晶片，该晶片包括一第一金属层；形成一覆盖层于该第一金属层上；形成一第一低介电常数介电层于该覆盖层上；形成一中间蚀刻停止层于该第一低介电常数介电层上；形成一第二低介电常数介电层于该中间蚀刻停止层上；形成一介电硬遮罩层于该第二低介电常数介电层上；形成一第二金属层于该介电硬遮罩层上；移除部分的该第二金属层以在部分的该介电硬遮罩层上形成一金属硬遮罩层；形成一光罩层于该第二金属层与部分的该介电硬遮罩层上；移除部分的该介电硬遮罩层与部分的该第二低介电常数介电层以在该介电硬遮罩层与该第二低介电常数介电层内形成一第一渠沟；移除该光罩层；移除部分的该介电硬遮罩层与该第一渠沟的一底部的该中间蚀刻停止层；移除部分的该第二低介电常数介电层以在该第二低介电常数介电层内形成一第二渠沟并移除部分的该第一低介电常数介电层以在该第一低介电常数介电层内形成一第三渠沟，其中该第二渠沟与该第三渠沟相互连接；移除该第三渠沟的一底部的该覆盖层，并移除该第二渠沟的部分的一底部的该中间蚀刻停止层；形成一第三金属层于该第二金属层上与该第二渠沟及该第三渠沟内，并填满该第二渠沟与该第三渠沟；及移除部分的该第三金属层以露出该第二金属层，并使该第三金属层与该第二金属层的一平面为一平坦的平面。