[发明专利]显示器件无效
| 申请号： | 02126893.2 | 申请日： | 1996-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1399165A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括衬底；开关元件，包含至少一个形成在所述半导体衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括形成在所述衬底上的由晶体硅构成的半导体岛区，所述半导体岛区具有至少一对掺杂区和位于所述一对掺杂区之间的沟道区；形成在所述半导体岛区上的栅绝缘膜；形成在所述沟道区上的栅电极，所述栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间；形成在所述开关元件上由氮化硅构成的第一绝缘膜；形成在所述第一绝缘膜上的有机树脂膜；和形成在所述有机树脂膜上的像素电极，电连接到所述掺杂区之一。此结构可防止掩蔽膜与薄膜晶体管之间产生电容的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一个衬底；一个开关元件，包含至少一个形成在所述半导体衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：形成在所述衬底上的由晶体硅构成的半导体岛区，所述半导体岛区具有至少一对掺杂区和位于所述一对掺杂区之间的沟道区；形成在所述半导体岛区上的栅绝缘膜；形成在所述沟道区上的栅电极，所述栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间；形成在所述开关元件上由氮化硅构成的第一绝缘膜；形成在所述第一绝缘膜上的有机树脂膜；和形成在所述有机树脂膜上的像素电极，电连接到所述掺杂区之一。
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