[发明专利]在半导体基底上形成光阻层的方法无效
| 申请号： | 02126915.7 | 申请日： | 2002-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1471131A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 雍镇诚;王明全;杨长浩 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在半导体基底上形成光阻层的方法。首先，在基底上涂覆第一光阻材料；接着，于烘烤第一光阻材料之前，在第一光阻材料上涂覆第二光阻材料；之后，在100－140℃的温度范围下，烘烤基底50－80秒，以形成第一光阻层及同时在其上方形成第二光阻层；最后，将烘烤后的基底冷却至室温。具有降低制造成本和增加生产能力的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 形成 光阻层 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体基底上形成光阻层的方法，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)在基底上涂覆光阻材料；(2)于烘烤该光阻材料之前，在该先阻材料上涂覆抗反射材料；(3)烘烤该基底，以形成光阻层及同时在其上方形成抗反射层；(4)通过图罩对该抗反射层及该光阻层进行曝光；(5)对该抗反射层及光阻层进行显影，以在该基底上形成光阻图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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