[发明专利]加热炉与半导体基板装载治具的组合及半导体装置的制造方法无效
申请号: | 02126916.5 | 申请日: | 2002-07-25 |
公开(公告)号: | CN1416153A | 公开(公告)日: | 2003-05-07 |
发明(设计)人: | 高木干夫 | 申请(专利权)人: | F.T.L股份有限公司;崇越科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/22;H01L21/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种加热炉与半导体基板装载治具的组合,其为由耐火断热材料所构成的炉体及含有配置于炉体之内侧面的加热体所构成直立炉或横置炉,以及在其反应管的均热区内可将一片或二片之半导体基板以其面与炉的长轴方向一致,且可自由前进后退的方式装载的基板装载治具所构成的组合。此组合的特征为加热体与半导体基板的面成实质上平行。依照本发明的加热炉与半导与基板装载治具的组合进行RTP的话,加热炉之床占有面积(footprint)可变小。 | ||
搜索关键词: | 加热炉 半导体 装载 组合 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种加热炉与半导体基板装载治具的组合,其为由耐火、断热材料所构成的炉体及含有配置于炉体之内侧面的加热体所构成的直立炉或横置炉,以及在其反应管的均热区内可将一片或二片的半导体基板以其面与炉的长轴方向一致,且可自由前进后退的方式装载的基板装载治具,所构成的组合,其特征为前述加热体与前述半导体基板的面成实质上平行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于F.T.L股份有限公司;崇越科技股份有限公司,未经F.T.L股份有限公司;崇越科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02126916.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造