[发明专利]制备深亚微米栅的方法无效
| 申请号： | 02126923.8 | 申请日： | 2002-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1471135A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘训春;李无暇;王润海;罗明雄;石华芬;汪宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 10002*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备深亚微米栅的方法，其步骤为：1)在基片上淀积氮化硅和二氧化硅复合膜；光刻生成胶膜图形，使其一边位于器件源漏中间；腐蚀二氧化硅的暴露部分并使形成侧蚀；2)蒸发金属；通过剥离工艺，去除胶上的金属；3)采用等离子体刻蚀，利用金属对等离子体刻蚀的掩蔽作用以及二氧化硅刻蚀速率比氮化硅刻蚀速率慢的原理，在金属边沿与二氧化硅接壤的缝隙中刻蚀氮化硅，形成具有深亚微米线宽尺度的窗口图形；4)采用光刻工艺，在位于上述器件源漏之间的具有深亚微米线宽尺度的窗口上套刻形成一较宽的上小下大的栅窗口胶图形；5)经栅槽腐蚀后，蒸发栅金属；6)剥离后形成栅极，还可根据需要，保留或去除栅下面的氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 微米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备深亚微米栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在基片上淀积氮化硅和二氧化硅复合膜；光刻生成胶膜图形，使其一边位于器件源漏中间；腐蚀二氧化硅的暴露部分并使形成侧蚀；2)蒸发金属；通过剥离工艺，去除胶上的金属；3)采用等离子体刻蚀，利用金属对等离子体刻蚀的掩蔽作用以及二氧化硅刻蚀速率比氮化硅刻蚀速率慢的原理，在金属边沿与二氧化硅接壤的缝隙中刻蚀氮化硅，形成具有深亚微米线宽尺度的窗口图形；4)采用光刻工艺，在位于上述器件源漏之间的具有深亚微米线宽尺度的窗口上套刻形成一较宽的上小下大的栅窗口胶图形；5)经栅槽腐蚀后，蒸发栅金属；6)剥离后形成栅极，还可根据需要，保留或去除栅下面的氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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