[发明专利]耐热性优良的等离子腐蚀电极及使用它的干腐蚀装置无效
| 申请号： | 02126995.5 | 申请日： | 2002-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1453830A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 山口彰;富田秀司 | 申请（专利权）人： | 日清纺绩株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/34 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种耐热性优良的等离子腐蚀电极及使用它的干腐蚀装置。一种具有优良耐热性的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，是由硅制电极板和支持它的台座构成的，两者是用粘结剂均匀且坚固地接合的等离子腐蚀电极，其特征是，(a)作为台座是使用了石墨制作的台座，(b)作为粘结剂是使用包括含有聚碳化二亚胺树脂的环氧树脂和碳粉末的粘结剂。其结果，导电性及耐热性得到了提高。不用担心杂质的污染，可以得到良好的腐蚀特性。因此，提高了硅晶片的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 耐热性 优良 等离子 腐蚀 电极 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种具有优良耐热性的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，是由硅制电极板和支持它的台座构成的，两者是用粘结剂均匀且坚固地接合的等离子腐蚀电极，其特征是，(a)作为台座是使用了石墨制作的台座，(b)作为粘结剂是使用包括含有聚碳化二亚胺树脂的环氧树脂和碳粉末的粘结剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日清纺绩株式会社，未经日清纺绩株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02126995.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种杀菌剂组合物
- 下一篇：一种电解还原制备二价铕的工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
