[发明专利]X光检测仪阵列单元的制作方法

摘要

一种X光检测仪阵列单元的制作方法，形成栅极于基底上；形成栅极绝缘层于栅极及基底上；形成硅岛于晶体管区的栅极绝缘层上；形成共同线于栅极绝缘层上且形成源/漏极于硅岛上而构成薄膜晶体管(TFT)；形成下电极于电容区的栅极氧化层上且覆盖共同线；形成顺应性的钝化层于栅极氧化层、下电极与TFT上；形成第一介层洞穿透钝化层，露出源极表面；形成平坦化层于钝化层上且填入第一介层洞；形成第二介层洞及第三介层洞穿透平坦化层，其中第二介层洞露出源极表面，第三介层洞露出位于电容区的钝化层表面；形成上电极于部分平坦化层上，并与源极电性连接；本发明可以节省元件面积，且仅需六道微影蚀刻步骤，因而减少制造成本。

主权项

1.一种X光检测仪阵列单元的制作方法，其特征是：包括下列步骤：提供一基底，具有一电容区与一晶体管区；形成横向延伸的一栅极线于该基底上，其中该栅极线包含一栅极，且该栅极位于该晶体管区内；形成一栅极绝缘层于该栅极线、该栅极及该基底上；形成一半导体岛于该晶体管区的该栅极绝缘层上；形成纵向延伸的一共同线与一资料线于该栅极绝缘层上，并且形成一源极与一漏极于该半导体岛上而构成一薄膜晶体管(TFT)结构，其中该漏极与该资料线电性连接；形成一第一导体层于该电容区的该栅极绝缘层上，且覆盖该共同线；形成顺应性的一钝化层于该栅极绝缘层、该第一导体层、该薄膜晶体管结构、该资料线与该栅极线上；一介层洞穿透该钝化层，而露出该源极的表面；形成一平坦化层于该钝化层上，并填入该第一介层洞；形成一第二介层洞及一第三介层洞穿透该平坦化层，其中，该第二介层洞至少露出该源极的表面，该第三介层洞露出位于该电容区的该钝化层表面；以及形成顺应性的一第二导体层于部分该平坦化层上，并与该源极电性连接；其中，位于该电容区的该第一导体层、该钝化层与该第一导体构成一储存电容结构。