[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

在P－型硅衬底(1)上形成了N－型外延层(3)。形成了贯通N－型外延层(3)并到达P－型硅衬底(1)的规定的深度的沟槽(6a、6b)。在沟槽(6a、6b)的侧壁上形成了热氧化膜(9a、9b)。形成了埋入多晶硅(10a、10b)，使其填埋沟槽(6a、6b)。以从沟槽(6a、6b)的底部到开口端不对N－型外延层(3a－3c)施加应力的大致恒定的膜厚来形成了热氧化膜(9a、9b)。由此，可得到漏泄电流被抑制的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于：具备：具有主表面的第1导电型的半导体衬底(1)；在上述半导体衬底(1)的上述主表面上形成的第2导电型层(3)；沟槽部(6a、6b)，被形成为贯通上述第2导电型层(3)并到达上述半导体衬底(1)的区域，将上述第2导电型层(3)隔离成一个元件形成区(3a、3b、3c)和另一个元件形成区(3a、3b、3c)；在上述沟槽部(6a、6b)的侧壁上形成的绝缘膜(7a、7b、9a、9b、71a、71b、75a、75b)；以及埋入半导体区域(10a、10b)，以填埋上述沟槽部(6a、6b)的方式在上述绝缘膜(7a、7b、9a、9b、71a、71b、75a、75b)上形成，以从上述沟槽部(6a、6b)的底部到开口端不对上述第2导电型层(3)施加应力的大致相同的膜厚来形成上述绝缘膜(7a、7b、9a、9b、71a、71b、75a、75b)。