[发明专利]高层合成装置、高层合成方法、使用高层合成方法产生逻辑电路的方法和记录介质无效
| 申请号： | 02127263.8 | 申请日： | 2002-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1392499A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 大西充久 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G06F17/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 高层合成装置，用于从描述电路过程操作的行为描述中，合成寄存器传输层逻辑电路，包括低功耗电路产生部分，用于产生低功耗电路，只当部分电路在等待状态时，它停止或抑制组成逻辑电路的部分电路的电路操作，从而实现低功耗。低功耗电路产生部分与逻辑电路一起合成。 | ||
| 搜索关键词： | 高层 合成 装置 方法 使用 产生 逻辑电路 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.高层合成装置，用于从描述电路过程操作的行为描述中合成寄存器传输层逻辑电路，包括低功耗电路产生部分，用于产生低功耗电路，只当部分电路在等待状态时，它停止或抑制组成逻辑电路的部分电路的电路操作，从而实现低功耗，其中低功耗电路产生部分与逻辑电路一起合成。
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