[发明专利]非易失存储单元的读取方法

摘要

本发明涉及一种非易失存储单元的读取方法，非易失存储单元具有基底、第一源极/漏极以及一第二源极/漏极，第一源极/漏极与第二源极/漏极之间具有一信道区，而信道区上具有一栅极，栅极与通道区之间具有位于第一绝缘层以及第二绝缘层之间的非导电性电荷捕捉材料，所述非易失存储单元的读取方法包括下列步骤。首先，提供第一电压至第一源极/漏极，接着，提供第二电压至第二源极/漏极，提供第三电压至栅极，最后提供第四电压至基底，其中第一电压大于第二电压，而第二电压及第三电压大于第四电压。本发明可避免读取非易失内存的数据时发生读取错误(readdisturb)。

主权项

1.一种非易失存储单元的读取方法，其特征在于，所述非易失存储单元具有一基底、一第一源极/漏极以及一第二源极/漏极，所述第一源极/漏极与第二源极/漏极之间具有一信道区，所述信道区上具有一栅极，所述栅极与通道区之间具有位于一第一绝缘层以及一第二绝缘层之间的非导电性电荷捕捉材料，所述非易失存储单元的读取方法包括下列步骤：提供一第一正偏压至所述第一源极/漏极以及基底之间；提供一第二正偏压至所述第二源极/漏极以及第一源极/漏极之间；以及提供一第三正偏压至所述栅极以及第一源极/漏极之间。