[发明专利]快速能量传输回火装置及方法无效
申请号: | 02127367.7 | 申请日: | 2002-07-30 |
公开(公告)号: | CN1472781A | 公开(公告)日: | 2004-02-04 |
发明(设计)人: | 江雨龙 | 申请(专利权)人: | 江雨龙 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省台中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种快速能量传输回火装置及方法,于一钨丝卤素或氙气弧光灯源与一沉积于一玻璃基板上的一非晶薄膜的两单元间设置一能量板,能量板面对非晶薄膜所释出的热能经由气体或固体介质传输以加热非晶薄膜并将它转换为一多晶薄膜。还可于玻璃基板的另一侧设置一散热板及一承载板,散热板吸收玻璃基板的热量以保护它免于过热而受损,散热板及承载板可移动任意调整非晶薄膜与能量板及玻璃基板与散热板的距离,以控制传输入非晶薄膜及玻璃基板传输出的能量大小。玻璃基板与多晶薄膜间可设置一导热层及一隔热层,玻璃基板另一面可设置一散热层,非晶薄膜上可设置一受热层,以控制并获得选择性结晶或控制导热方向和引导结晶朝特定方向成长。 | ||
搜索关键词: | 快速 能量 传输 回火 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种快速能量传输回火装置,其特征在于,包括:一光源单元,可快速提供主要光波能量;一能量单元,为可快速吸收光源主要波长能量并快速升温的一受热件;以及一回火单元,包含一基板及沉积于基板上的一非晶薄膜,回火单元的非晶薄膜是面对能量单元且相隔一适当距离;其中,当能量单元快速升温并释出热能,可加热非晶薄膜并将非晶薄膜转换为一多晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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