[发明专利]存储器件无效
申请号: | 02127659.5 | 申请日: | 2002-08-06 |
公开(公告)号: | CN1402256A | 公开(公告)日: | 2003-03-12 |
发明(设计)人: | 植村哲也 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | G11C11/38 | 分类号: | G11C11/38;G11C5/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏,关兆辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种存储单元由其栅极连接到字线和其漏极连接到位线的FET、其一端连接到所述FET的源极和另一端连接到第一电源的电容器、提供在字线和FET的源极之间的第一负微分电阻器件、提供在FET的源极和第二电源之间的第二负微分电阻器件形成。 | ||
搜索关键词: | 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种具有提供在字线和位线的交点的存储元件的存储器件,所述存储元件包括:FET,其栅极连接到所述字线,其漏极连接到所述位线;电容器,其一端连接到所述FET的源极,另一端连接到第一电源;提供在所述字线和所述FET的所述源极之间的第一负微分电阻器件;提供在所述FET的所述源极和第二电源之间的第二负微分电阻器件。
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