[发明专利]存储器件无效

专利信息
申请号: 02127659.5 申请日: 2002-08-06
公开(公告)号: CN1402256A 公开(公告)日: 2003-03-12
发明(设计)人: 植村哲也 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G11C11/38 分类号: G11C11/38;G11C5/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏,关兆辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种存储单元由其栅极连接到字线和其漏极连接到位线的FET、其一端连接到所述FET的源极和另一端连接到第一电源的电容器、提供在字线和FET的源极之间的第一负微分电阻器件、提供在FET的源极和第二电源之间的第二负微分电阻器件形成。
搜索关键词: 存储 器件
【主权项】:
1.一种具有提供在字线和位线的交点的存储元件的存储器件,所述存储元件包括:FET,其栅极连接到所述字线,其漏极连接到所述位线;电容器,其一端连接到所述FET的源极,另一端连接到第一电源;提供在所述字线和所述FET的所述源极之间的第一负微分电阻器件;提供在所述FET的所述源极和第二电源之间的第二负微分电阻器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社,未经日本电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02127659.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top