[发明专利]在靶上注入离子的装置及其方法无效
申请号: | 02127714.1 | 申请日: | 2002-08-08 |
公开(公告)号: | CN1405836A | 公开(公告)日: | 2003-03-26 |
发明(设计)人: | 山下贵敏 | 申请(专利权)人: | 日新电机株式会社 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01L21/265;C23C14/48 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒,魏晓刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种在靶上注入离子的装置及其方法。离子注入装置包括在引出电压下从其中引出离子的离子源;在加速电压VA下加速如此引出的离子的加速管;以及从自加速管引出的离子中选取具有特定动量的离子的动量分离磁体,使所需要的离子入射到靶上。假设MI表示所需要的离子的质量数,ZI表示其化合价,MC表示产生在加速管上游侧的杂质离子中的受作用杂质离子的质量数,ZC表示其化合价,如果MI·(VE+VA)/ZI值和MC·VA/ZC值彼此相等或近似相等的关系得以满足,则引出电压VE和加速电压VA中的一个增加,而另一个降低,同时(VE+VA)值维持基本恒定。 | ||
搜索关键词: | 注入 离子 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在靶上注入离子的装置,该装置包括:离子源,用于在引出电压VE时从该离子源中静电地引出离子;加速装置,用于在加速电压VA时静电地引出所引出的离子;动量分离磁体,用于有选择地从引出的离子中得到具有特定动量的所需要的离子,使得来自动量分离磁体的所需要的离子注入在靶上;以及控制装置,其增加引出电压VE和加速电压VA中的一个,并降低引出电压VE和加速电压VA中的另一个,同时保持(VE+VA)值基本恒定,并满足下式A:MI·(VE+VA)/ZI=MC·VA/ZC。
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