[发明专利]在靶上注入离子的装置及其方法无效

专利信息
申请号: 02127714.1 申请日: 2002-08-08
公开(公告)号: CN1405836A 公开(公告)日: 2003-03-26
发明(设计)人: 山下贵敏 申请(专利权)人: 日新电机株式会社
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01L21/265;C23C14/48
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒,魏晓刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种在靶上注入离子的装置及其方法。离子注入装置包括在引出电压下从其中引出离子的离子源;在加速电压VA下加速如此引出的离子的加速管;以及从自加速管引出的离子中选取具有特定动量的离子的动量分离磁体,使所需要的离子入射到靶上。假设MI表示所需要的离子的质量数,ZI表示其化合价,MC表示产生在加速管上游侧的杂质离子中的受作用杂质离子的质量数,ZC表示其化合价,如果MI·(VE+VA)/ZI值和MC·VA/ZC值彼此相等或近似相等的关系得以满足,则引出电压VE和加速电压VA中的一个增加,而另一个降低,同时(VE+VA)值维持基本恒定。
搜索关键词: 注入 离子 装置 及其 方法
【主权项】:
1.一种用于在靶上注入离子的装置,该装置包括:离子源,用于在引出电压VE时从该离子源中静电地引出离子;加速装置,用于在加速电压VA时静电地引出所引出的离子;动量分离磁体,用于有选择地从引出的离子中得到具有特定动量的所需要的离子,使得来自动量分离磁体的所需要的离子注入在靶上;以及控制装置,其增加引出电压VE和加速电压VA中的一个,并降低引出电压VE和加速电压VA中的另一个,同时保持(VE+VA)值基本恒定,并满足下式A:MI·(VE+VA)/ZI=MC·VA/ZC。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日新电机株式会社,未经日新电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02127714.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top