[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02127752.4 | 申请日： | 2002-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1407630A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 菊地修一;木绵正明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种提高漏极耐压的半导体器件。本发明的半导体器件的特征是，在P型半导体基板1内形成P阱区域5，在其上至少形成膜厚度厚的栅绝缘膜9和膜厚度薄的栅绝缘膜10，隔着该膜厚度厚的栅绝缘膜9和膜厚度薄的栅绝缘膜10形成栅电极(25E)，被离子注入到上述栅电极(25E)下部的阈值电压调整用的杂质，只在上述膜厚度薄的栅绝缘膜10的下部进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，在半导体层上隔着栅绝缘膜形成有栅电极，与该栅电极相邻形成有源漏区域，其特征在于：在上述栅绝缘膜的下部形成的阈值电压调整用的离子注入层，在上述源区域侧和上述漏区域侧具有不同的杂质浓度。
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