[发明专利]金属薄膜干蚀刻的后处理方法及蚀刻与去光阻的整合系统

摘要

本发明涉及电子元器件的制造方法及系统，尤指一种金属薄膜干蚀刻的后处理方法，和一种蚀刻与去光阻步骤的整合系统，该系统包括至少一干蚀刻室，至少一光阻去除清洗室，以及一输送装置。该输送装置用以输送一或多个含金属薄膜的基板进出一或多个该干式蚀刻室及一或多个该光阻去除清洗室。一基板上的金属薄膜在干蚀刻室中利用一光阻进行干蚀刻后，得到一受光阻覆盖的表面以及一未受光阻覆盖的金属裸露面，接着于该光阻去除清洗室中去除该金属薄膜表面上的光阻，同时于该金属裸露面上生成一护封层，并于光阻去除完成后洗除该护封层，使回复裸露的金属表面，如此便可避免干蚀刻后的金属薄膜在等待去除光阻之前遭干蚀刻相关气体的腐蚀。

主权项

1.一种蚀刻与去光阻步骤的整合系统，其特征在于，包括：至少一干蚀刻室，在其中利用一光阻，对于一基板上的金属薄膜进行干蚀刻，以得到一受光阻覆盖的表面以及一未受光阻覆盖的金属裸露面；至少一光阻去除清洗室，在其中同时进行该金属薄膜的干蚀刻后处理与光阻去除步骤，以去除该金属薄膜表面上的光阻，同时在该金属裸露面上生成一护封层，并在光阻去除完成后进行一清洗步骤，以洗除该护封层，使回复裸露的金属表面；一输送装置，用以输送一或多个该基板进出一或多个该干式蚀刻室及一或多个该光阻去除清洗室。