[发明专利]蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比上的应用有效
| 申请号： | 02127845.8 | 申请日： | 2002-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1472361A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 庄平;李鸿业;罗冠腾 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比(EtchingSelectivity)上的应用，此蚀刻剂至少包括磷酸(Phosphoric Acid；H3PO4)与可溶性硅(Si)化合物，例如含卤素的硅化合物或含卤素的硅化合物及其衍生物。此蚀刻剂应用在蚀刻氮化硅(SiN4)时，由于可溶性硅化合物与水产生水解反应，因此可有效提升氮化硅与氧化硅(SiO2)之间的蚀刻选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 及其 提高 选择 应用 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻剂，适用于蚀刻氮化硅其特征在于，该蚀刻剂至少包括：一磷酸；以及一含硅化合物掺入该磷酸中，其中该含硅化合物具有一浓度。
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