[发明专利]半导体记忆装置

摘要

N阱接触区域3成为与扩散区域1相反的导电型。同样，P阱接触区域4成为与扩散区域2相反的导电型。因此，N阱接触区域3和P阱接触区域4由于成为孤立的小岛状，所以存在形成该区域时需要高度的精细化技术，而该区域往往不能正常形成的问题。于是作为解决手段，在N阱及P阱的上部与第2扩散区域12一体形成N阱接触区域13，并在P阱及N阱的上部与第1扩散区域11一体形成P阱接触区域14。

主权项

1.一种半导体记忆装置，具备：第1扩散区域，其形成于长条形的N阱上部、注入了P型杂质；第2扩散区域，其形成于与所述N阱相邻的长条形的P阱上部、注入了N型杂质；N阱接触区域，其在所述N阱及P阱的上部与所述第2扩散区域形成为一体；P阱接触区域，其在所述P阱及N阱的上部与所述第1扩散区域形成为一体。