[发明专利]光敏面直径为14mm的硅光电探测器

摘要

本发明公开了一种光敏面直径为φ14mm硅光电探测器，其特征在于：采用N型高阻硅单晶片作衬底，用硼杂质进行热扩散或离子注入形成探测器的光敏区及光敏区周围的隔离二极管的两个P⁺N结和磷扩散形成的N⁺N高低结，作成探测器的管芯，管芯金属化合金后烧压在两面都金属化的Al₂O₃陶瓷片上，再烧结于管座上。管芯的两个正电极及公用的负电极，使用压焊工艺与同管座绝缘的三个管脚相连，应用中隔离二极管的正、负电极经与探测器同样偏置后电学短路、连接。该探测器与现有的光电探测器相比，制作工艺较简单、成品率高、成本低、高温热稳定性好、暗电流小、噪声低、工作电压低、探测灵敏度高、可靠性高、使用方便、灵活。

主权项

本发明公开了一种光敏区直径为φ14mm硅光电探测器，其特征在于：采用N型高阻硅单晶片作衬底，用硼杂质进行热扩散形成探测器的光敏区的P+N结和光敏区周围隔离二极管的P+N结以及用磷扩散形成N+N高低结制作管芯，金属化的管芯烧压在两面金属化的Al2O3陶瓷片上，再将陶瓷片烧结于管座上，管芯的两个正电极及一个公用的负电极用压焊工艺，与同管壳绝缘的管脚相连，在探测器应用中，隔离二极管的正、负电极经与探测器同样偏置后，实现电学短路连接。