[发明专利]象限光电探测器象限分离的制造方法

摘要

本发明公开了一种象限光电探测器象限分离的制作方法，用于象限光电探测器象限间隔离区的制作，其特征是：在探测器pn结衬底背面高低结电极接触区域上，采用半导体器件制造工艺，制作所需的特殊图形实现象限分离。采用的半导体器件制造工艺是：用刻蚀工艺，将n⁺层刻蚀沟槽分区；也可以是掩蔽选择扩散或离子注入工艺制作n⁺区；还可以是掩蔽选择离子注入将n⁺层分区等工艺。本发明提供的象限分离制作方法可用于四象限、八象限(双四象限)等象限光电探测器及多元线列、阵列光电探测器等的象限间、象元间的分离。与现有的象限光电探测器相比，在同等的光敏面积下，其光敏面边界总长度大大减小，器件漏电流小、噪声低、探测灵敏度大为提高，探测器的均匀性、一致性好，成品率优品率显著提高。

主权项

1、本发明涉及一种象限光电探测器象限分离的制造方法，用于象限光电探测器象限间隔离区的制作。其特征是：在探测器pn结衬底背面高低结的电极接触区域上，采用半导体器件制造工艺，制作所需的特殊图形实现象限分离。