[发明专利]利用铝的防止铜扩散膜的形成方法无效
| 申请号： | 02128187.4 | 申请日： | 2002-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1430246A | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李载皙 | 申请（专利权）人： | 东部电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/441 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮,杨梧 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用铝的防止铜扩散膜的形成方法。本发明在绝缘体上蒸镀(deposition)薄的铝(Al)膜后，在上述铝膜表面上用NH3进行等离子体处理(plasmatreatment)，变形为以氮化铝(AlxNy)为基础的氮化膜，在上述氮化膜表面上蒸镀铝(Al)膜，并在蒸镀后的表面膜上蒸镀铜(Cu)。因此，具有以下效果，由抑制铜的扩散，解决了高集成化引起的金属(metal)间的间距(pitch)越减少金属线间的铜扩散等越引起必须考虑的泄漏(leakage)问题。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 防止 扩散 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用铝的防止铜扩散膜的方法，通过CMP(chemicalmechanicalpolishing：CMP)工序过程形成防止铜(Cu)扩散膜，其特征在于：包括：在绝缘体上蒸镀(deposition)薄的铝(Al)膜的第一阶段；在所述第一铝膜表面上用NH3进行等离子体处理(plasmatreatment)，使所述第一铝膜的表面变形为氮化铝(AlxNy)基础的氮化膜的第二阶段；在所述氮化膜表面上蒸镀第二铝(Al)膜的第三阶段；和在所述第二铝(Al)膜表面上蒸镀铜(Cu)的第四阶段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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