[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 02128261.7 申请日: 2002-08-07
公开(公告)号: CN1416132A 公开(公告)日: 2003-05-07
发明(设计)人: 山内忠昭;冈本武郎;松本淳子;田增成 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34;G11C11/4074
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘宗杰,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在具有深度功率降低模式的半导体存储器中,在接通内部电压时,正确而且可靠地生成内部电压。在生成控制深度功率降低模式的断电使能信号(PCUTe)的电平变换电路(960)的输出部上,设置在接通电源时将该电平变换电路的输出信号设定为规定的去活状态的初始化电路。该初始化电路例如包括电容元件(2),被连接在电平变换电路(960)的输出节点上,在接通电源时上拉该输出节点的电压;以及锁存电路(3,4),锁存该输出节点的电压电平。在接通电源时,该初始化电路强制性地去活断电使能信号,生成外围电源电压,根据控制电路(904)的输出信号来初始设定电平变换电路的内部节点。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1、一种半导体装置,包括:控制电路,接受第1电源电压作为工作电源电压,根据工作模式指示来生成第1电源控制信号;电平变换电路,用于将上述第1电源控制信号变换为振幅为第2电源电压电平的电源控制信号并输出;初始化电路,用于在接通上述第2电源电压时将上述电平变换电路的输出信号设定为规定的电压电平;及电源电路,根据上述第2电源控制信号被选择性地激活,在激活时,由上述第2电源电压来生成上述第1电源电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02128261.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top