[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 02128265.X | 申请日： | 2002-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1416137A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 松本淳子;山内忠昭;冈本武郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是，使自更新模式时的消耗电流分散并降低消耗电流。根据更新请求(PHY)和更新地址(QAD)的特定的地址位(QAD或QAD)，将更新阵列激活信号(RFACT)激活。利用更新地址计数器(19)的特定的低位的位(CN或CN)作为更新地址的特定的地址位，另外，通过将该特定的地址位作为更新地址的高位的位利用，自更新模式时能以等间隔对规定的地址区域进行更新，能使更新间隔长，能降低消耗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，该半导体存储器要求周期性地更新存储数据，其特征在于，备有：发生指定更新对象的存储单元的多位更新地址的更新地址发生电路；以及根据上述更新地址的特定地址位和更新请求，生成激活更新工作用的更新阵列激活信号的更新激活电路。
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