[发明专利]硅半导体晶片及其制造方法

摘要

为提高一用Czochralski法或施加磁场的Czochralski法制造的硅单晶体切割而成的半导体晶片的无缺陷区深度或空穴型缺陷的深度及氮分离所产生的局部密化部分至超过12微米的深度，在非氧化环境中施以热处理后的半导体晶片具有下列特性无缺陷区的深度可能大于12微米或空穴型缺陷的无缺陷深度大于12微米，该晶片具有一氮分离所产生的局部密化部分及用二次离子质谱分析法测量氮浓度时显示一信号强度两倍或更多倍于其表面下12微米或更深处的平均信号强度，氧沉淀物结晶缺陷的密度为5×108/立方厘米或更高，且该晶片是于非氧化环境中、在温度1200℃或更高的情况下实施热处理至少1小时而制得。

主权项

1、一种自Czochralski法或施加磁场的Czochralski法所生长的硅单晶体制得的硅半导体晶片，其特征在于，该硅半导体晶片于一非氧化环境中经热处理之后，该硅半导体晶片无缺陷区的深度至少为12微米，该硅半导体晶片厚度中心处的氧沉淀物的晶体缺陷密度至少为5×108/立方厘米。