[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 02128644.2 | 申请日： | 1998-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1505137A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 下川英惠;曾我太佐男;奥平弘明;石田寿治;中冢哲也;稻叶吉治;西村朝雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01B1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏;郑建晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种无Pb焊料连接结构和半导体装置，该无Pb焊料连接结构具有足够高的连接强度，获得即使在随时间的推移的情况下仍保持稳定的界面，保持足够的浸润性和对纤维状结晶的抵抗性。特别是，无Pb焊料的特征在于：作为代表性的无Pb焊料的Sn－Ag－Bi与电极连接，该电极的表面上形成有Sn－Bi层。最好，按照重量百分比计，上述Sn－Bi层中的Bi浓度在1～20％的范围内，以便获得足够高的浸润性。当要求更加可靠的接缝时，在上述Sn－Bi层的下面形成Cu层，以便获得具有足够高的界面强度的连接部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种具有引线的半导体装置，在引线上形成了按重量百分比计含有1％-20％的Bi的Sn-Bi合金层。
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