[发明专利]多位磁存储单元无效
| 申请号： | 02128645.0 | 申请日： | 2002-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1405777A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | J·H·尼科尔;M·布哈塔查尔亚 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁存储单元(10)包括串连的第一和第二磁阻器件(12，14)。第一和第二磁阻器件(12，14)具有不同的矫顽磁力(L1，L2)的第一和第二传感层(18，14)。磁随机存取存储器(MRAM)器件(812)可以包括这些存储单元(10)的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 多位磁 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储单元(10)，包含串连的第一和第二磁阻器件(12，14)，第一磁阻器件(12)具有第一传感层(18)，第二磁阻器件(14)具有第二传感层(24)，第一和第二传感层(18，24)有不同的矫顽磁力。
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