[发明专利]浅沟槽隔离构造及其制造方法无效
| 申请号： | 02128693.0 | 申请日： | 2002-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1476073A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈隆;张世辉;杨人龙;曾乙峰;徐震球 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离构造及其制造方法，其包括依序进行的下列步骤：在半导体基底上形成沟槽罩幕，使用此沟槽罩幕在基底内形成一沟槽；在沟槽的底部和侧壁上形成热氧化衬垫层；在含氮原子气体的存在下进行退火，在热氧化衬垫层下方的沟槽内的基底表面上形成第一氮化衬垫层；在热氧化衬垫层上形成第二氮化衬垫层；将绝缘物填入该沟槽内。具有改善元件稳定性的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种浅沟槽隔离构造，其特征是：它包括在半导体基底内设有沟槽；第一氮化衬垫层位于该沟槽的底部和侧壁；热氧化衬垫层位于该第一氮化衬垫层上；第二氮化衬垫层位于该热氧化衬垫层上及绝缘物填入该沟槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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