[发明专利]形成双镶嵌结构的方法有效
| 申请号： | 02128694.9 | 申请日： | 2002-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1476074A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李世达 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成双镶嵌结构的方法。首先，提供其上具有一介电层的基底；接着，依序在介电层上形成上盖层及具有至少一沟槽图案的罩幕层；之后，在罩幕层及上盖层上形成具有至少一介层洞图案的光阻层，且介层洞图案的位置是对应于沟槽图案；接下来，将介层洞图案转移至上盖层及介电层的上半部，且接着去除光阻层；接下来，将沟槽图案转移至上盖层及介电层的上半部，且同时将介层洞图案转移至介电层的下半部；最后，在介电层的沟槽及介层洞中填入导电层。具有防止光阻毒化和改善双镶嵌结构的轮廓的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 镶嵌 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成双镶嵌结构的方法，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)提供基底，该基底上具有介电层；(2)在该介电层上形成上盖层：(3)在该上盖层上方形成具有至少一沟槽图案的罩幕层；(4)在该罩幕层及该上盖层上形成具有至少一介层洞图案的光阻层，且该介层洞图案的位置是对应于该沟槽图案；(5)将该介层洞图案转移至该上盖层及该介电层的上半部；(6)去除该光阻层；(7)将该沟槽图案转移至该上盖层及该介电层的上半部，且同时将该介层洞图案转移至该介电层的下半部；(8)在该介电层的沟槽及介层洞中填入导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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