[发明专利]掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件及制备方法无效
| 申请号： | 02129247.7 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1485935A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 吕惠宾;陈正豪;颜雷;戴永愚;刘立峰;相文峰;郭海中;何萌;周岳亮;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有p－n结结构的掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件。它包括：衬底、电极、引线；在衬底上至少有一个或一个以上p－n结结构，该p－n结结构有一p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸锶层与n型掺杂钛酸锶和p型掺杂镧锰氧层交替叠层外延生长在衬底上；电极设置在最上面的外延层和衬底上，或设置在最上面的外延层和在衬底上的第一层外延层上，电极上连接引线。本发明的制备方法简单，易于推广实现工业化生产，所制备的巨磁阻器件是一种多p－n结结构的高灵敏度磁功能器件，即使在室温和低强度磁场下，也仍然具有很高的灵敏度，可广泛应用于磁探测、磁测量和磁控制。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 钛酸锶 镧锰氧巨 磁阻 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，包括：衬底、电和引线；其特征在于：在衬底上至少有一个或一个以上p-n结结构，该p-n结结构有一p型掺杂镧锰氧外延层或n型掺杂钛酸锶外延层与n型掺杂钛酸锶外延层和p型掺杂镧锰氧外延层交替叠层设置在衬底上；电极设置在最上面的外延层和衬底上，或设置在最上面的外延层和在衬底上的第一层外延层上，电极上连接引线。
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