[发明专利]垂直沟道场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 02129385.6 | 申请日： | 2002-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1399350A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘金华;刘文安;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京华一君联专利事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构，在源端形成Halo结构；即，对于n型管，在漏端与沟道之间增加一个n－区，在源端与沟道之间增加一个p+区；对于p型管，在漏端与沟道之间增加一个p－区，在源端与沟道之间增加一个n+区。本发明的垂直沟道场效应晶体管，可以有效的降低器件的短沟道效应，降低阈值的漂移，减小DIBL效应。同时降低了器件的关态电流，减小了功耗，提高了器件的开关比。这些特点都可以很好的改善器件尺寸减小而出现的问题，其优越性随着器件特征尺寸的减小表现更明显。可作为半导体器件广泛应用于集成电路技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 沟道 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种垂直沟道场效应晶体管，其特征在于在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构，在源端形成Halo结构；即，对于n型管，在漏端与沟道之间增加一个n-区，在源端与沟道之间增加一个p+区；对于p型管，在漏端与沟道之间增加一个p-区，在源端与沟道之间增加一个n+区。
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