[发明专利]自行对准钴硅化物的接触窗制作工艺技术有效
| 申请号： | 02129702.9 | 申请日： | 2002-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1476075A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 曾铕寪;邱宏裕 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种自行对准钴硅化物的接触窗制作工艺技术，于基底上先形成一深接触窗开口，然后于接触窗开口侧壁形成氮化硅间隙壁。然后，沉积一层钴层，再依序形成一层离子化金属等离子体钛层与一层化学气相沉积氮化钛层。随后，施行第一次快速热制作工艺。接着，进行一湿式蚀刻，以去除钛/氮化钛层。然后，施行第二次快速热制作工艺，再将导体层填入接触窗开口中。 | ||
| 搜索关键词： | 自行 对准 钴硅化物 接触 制作 工艺技术 | ||
【主权项】：
1、一种自行对准钴硅化物的接触窗制作工艺技术，其特征在于：包括：于一硅基底上形成一介电层；于该介电层中形成一接触窗开口，并暴露出该硅基底；于该接触窗开口侧壁形成一氮化硅间隙壁；于该接触窗开口底部形成一钴层；于该钴层上形成一电离金属等离子体钛层；于该电离金属等离子体钛层上形成一化学气相沉积氮化钛层；施行一第一快速热制作工艺，以使该钴层与该硅基底反应形成一自行对准钴硅化物；进行一湿式蚀刻，以去除未反应的该钴层、该电离金属等离子体钛层与该化学气相沉积氮化钛层；施行一第二快速热制作工艺；于该接触窗开口中填入一导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02129702.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：形成双镶嵌结构的方法
- 下一篇：防止金属挤出的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
