[发明专利]硅烷组合物、硅膜的形成方法和太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 02129797.5 | 申请日： | 2002-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1407018A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 志保浩司;加藤仁史 | 申请（专利权）人： | 捷时雅株式会社 |
| 主分类号： | C08L83/16 | 分类号： | C08L83/16;C09D183/16;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造太阳能电池半导体薄膜的硅烷组合物，所述硅烷组合物含有用式SinRm所示的聚硅烷化合物(式SinRm中，n为3以上的整数，m为n～(2n+2)的整数，m个R互相独立地为氢原子、烷基、苯基或卤素原子，当m个R全部为氢原子、且m＝2n时，n为7以上的整数)和(B)从环戊硅烷、环己硅烷和甲硅烷基环戊硅烷中选择的至少一种硅烷化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 组合 形成 方法 太阳能电池 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硅烷组合物，其特征在于，含有：(A)用式SinRm所示的聚硅烷化合物和(B)从环戊硅烷、环己硅烷和甲硅烷基环戊硅烷中选择的至少一种硅烷化合物，其中，式SinRm中，n为3以上的整数，m为n～(2n+2)的整数，m个R互相独立地为氢原子、烷基、苯基或卤素原子，当m个R全部为氢原子、且m＝2n时，n为7以上的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷时雅株式会社，未经捷时雅株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02129797.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
