[发明专利]双功函数互补金氧半导体晶体管及其制法

摘要

一种双功函数互补金氧半导体(CMOS)晶体管及其制法，该双功函数互补金氧半导体晶体管包含有：一基底，其上具有不相重叠的N型井区及P型井区；一介电层，设于该基底上的该N型井区及P型井区内；一金属间扩散栅极，设于该N型井区内的该介电层上，其中该金属栅极包含一低功函数下层金属以及一高功函数上层金属通过金属间扩散至该低功函数下层金属及该介电层的界面；以及一单层金属栅极，设于该P型井区内的该介电层上。

主权项

1.一种双功函数互补金氧半导体晶体管，其特征是：包含有：一基底，其上具有不相重叠的一第一导电型井区及一第二导电型井区；一介电层，设于该基底上的该第一导电型井区及该第二导电型井区内；一金属间扩散栅极，设于该第一导电型井区内的该介电层上，其中该金属间扩散栅极包含两上下堆叠金属层分别具有不同的功函数；以及一单层金属栅极，设于该第二导电型井区内的该介电层上。