[发明专利]测量金属氧化半导体场效晶体管有效电流通道长度的方法

摘要

本发明提供一种测量金属氧化半导体场效晶体管有效电流通道长度的方法，通过提供一第一补偿因子、一第二补偿因子及一第三补偿因子以测量一金属氧化半导体场效晶体管的有效电流通道长度以及该晶体管的栅极、漏极及源极重叠长度；该第一补偿因子可通过测量该晶体管的两栅极等效电容来计算出，该第二补偿因子可通过测量该晶体管的两重叠等效电容来计算出，而该第三补偿因子则等于该第二补偿因子除以该第一补偿因子；本发明利用计算晶体管分别操作于积累状态或是反转状态时的等效电容，经由一连串的运算式推导出有效电流通道长度以及相关的电性特征值，而能更正确地测量有效电流通道长度以及晶体管内源极与漏极的位置。

主权项

1.一种求出一金属氧化半导体场效晶体管的有效电流通道长度的方法，该晶体管包含有一硅基底、一栅极、一漏极以及一源极，其特征是：当该硅基底以及该源极均接地且该栅极被施以一其绝对值大于该晶体管的启始电压的电压时，一电流通道会形成于该晶体管的漏极及源极之间，且该晶体管于同一时间内操作于一积累状态或是一反转状态，该方法包含有：于该晶体管操作于该反转状态时测量该栅极之一第一栅极等效电容，且于该栅极于接地状态时测量该栅极之一第二栅极等效电容，并根据该第一及第二等效栅极电容计算出一第一补偿因子，该第一补偿因子等于该第一栅极等效电容除以该第二栅极等效电容；于该晶体管操作于该积累状态时测量该源极、漏极与该栅极重叠部分的一第一重叠等效电容，且于该栅极于接地状态时测量该源极、漏极与该栅极重叠部分的一第二重叠等效电容，并根据该第一及第二等效重叠电容计算出一第二补偿因子，该第二补偿因子等于该第一重叠等效电容除以该第二重叠等效电容；根据该第一及第二补偿因子计算出一第三补偿因子，该第三补偿因子等于该第二补偿因子除以该第一补偿因子；以及根据该第一、第二及第三补偿因子计算出该源极、该漏极与该栅极重叠部分的长度以及该晶体管的有效电流通道长度。