[发明专利]半导体集成电路装置无效
申请号: | 02129858.0 | 申请日: | 2002-08-20 |
公开(公告)号: | CN1411064A | 公开(公告)日: | 2003-04-16 |
发明(设计)人: | 永田真也;渡边克吉;池本政彦 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;G06F15/78;G06F13/36 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良,王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 将半导体芯片分割成以焊磐围绕的第1半导体区域和焊磐外部的区域,将存储器配置于此焊磐外部区域。而且,将配置于这些第1半导体区域内的存储器和配置于焊磐外部的存储器,分别通过各自的存储器总线及选择器与总线接口部件耦合。用2相的相互相位没有不同的时钟信号驱动此选择器。提供即使针对记忆装置记忆容量的变更,也可以容易地应对,且不论总线接线长度的变更,可以高速地且低能耗地转送信号/数据的半导体集成电路装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路装置,其具备配置包含处理装置的内部电路的第1半导体区域;配置至少存储上述处理装置使用的数据的第1记忆装置的第2半导体区域;配置于上述第1及第2半导体区域之间的焊磐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的