[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 02129860.2 | 申请日： | 2002-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1411068A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 榊原一男;渡邊克吉 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;三菱电机系统LSI设计株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是得到能够有效利用已经设计成的核心块来应对存储空间增加的半导体集成电路。已经设计了具有包含CPU的块1，多个焊接点的排列4a以及对于排列4a与块1在同一侧配置的第1存储器RAM21a、22a的核心块8a。在有存储容量增大的要求的场合，增添对于排列4a在与块1相反一侧配置的第2存储器RAM24a、25a，可以容易地适应该要求。而且，由于第2存储器的物理配置与第1存储器不同，所以能够容易地在单片微计算机9c的内部，核心块8a的外部，设计用于得到必要的存储容量的物理配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，其特征在于，包括：中央处理单元；多个焊接点的排列；对于上述排列在与上述中央处理单元同一侧设置的至少一个第1存储器；以及对于上述排列在与上述中央处理单元相反一侧设置的、物理配置与上述第1存储器不同的至少一个第2存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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