[发明专利]用于装配电子器件的层叠薄膜和用于装配电子器件的薄膜载带无效
申请号: | 02129866.1 | 申请日: | 2002-08-20 |
公开(公告)号: | CN1407611A | 公开(公告)日: | 2003-04-02 |
发明(设计)人: | 川崎秀一;寺田弘 | 申请(专利权)人: | 三井金属矿业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 用于装配电子器件的层叠薄膜包含被热压粘合的导电层和绝缘膜。绝缘膜在其宽度方向上的热膨胀系数基本上等于或高于导电层在其宽度方向上的热膨胀系数。 | ||
搜索关键词: | 用于 装配 电子器件 层叠 薄膜 | ||
【主权项】:
1.用于装配电子器件的层叠膜,所述层叠膜包括被热压粘合在一起的导电层和绝缘膜,该绝缘膜沿其宽度方向的热膨胀系数基本等于或高于该导电层沿该导电层的宽度方向的热膨胀系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造