[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 02129868.8 | 申请日： | 2002-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1407724A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 菅野雄介;水野弘之;柳泽一正 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00;H03K19/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具备接受第1信号，输出更大振幅的第2信号的差动型电平变换电路的半导体器件，上述差动型电平变换电路具有接受第1信号的第1MISFET对；对第1MISFET对进行耐压缓和的第2MISFEET对；锁存要输出的第2信号且具有交叉耦合栅极的第3MISFET对，第2MISFET对栅极绝缘膜比第1MISFEET对栅极绝缘膜厚，第3MISFET对栅极绝缘膜比第1MISFET对栅极绝缘膜厚，第2MISFET对阈值电压的绝对值比第3MISFEET对阈值电压的绝对值小，第1MISFET对阈值电压的绝对值比第3MISFET对阈值电压的绝对值小。即便电平变换振幅差大到4倍以上也可以进行高速电平变换。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具备接受第1信号，输出比上述第1信号还大的振幅的第2信号的差动型电平变换电路的半导体器件，上述差动型电平变换电路，具有：用来接受上述第1信号的第1MISFET对；用来对上述第1MISFET对进行耐压缓和的第2MISFET对；用来锁存要输出的上述第2信号，且具有交叉耦合的栅极的第3MISFET对，上述第2MISFET对的栅极绝缘膜的膜厚，比上述第1MISFET对的栅极绝缘膜的膜厚还厚，上述第3MISFET对的栅极绝缘膜的膜厚，比上述第1MISFET对的栅极绝缘膜的膜厚还厚，上述第2MISFET对的阈值电压的绝对值，比上述第3MISFET对的阈值电压的绝对值还小，上述第1MISFET对的阈值电压的绝对值，比上述第3MISFET对的阈值电压的绝对值还小。
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