[发明专利]一种高比表面积碳化硅及其制备方法无效
| 申请号： | 02130064.X | 申请日： | 2002-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1401565A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 郭向云;靳国强;梁萍;王冬华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院山西煤炭化学研究所 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B01J27/224 |
| 代理公司： | 山西五维专利事务所(有限公司) | 代理人： | 李毅 |
| 地址： | 030001*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高比表面积碳化硅的直径为10－20nm，比表面积为60－160m2/g，孔径分布范围为3－100nm。制备方法采用将酚醛树脂和乙醇或丙酮混合，再将铝溶胶、正硅酸乙酯和酚醛树脂溶于混合溶液中，同时加入草酸，搅拌水解；再加入六次甲基四氨进行凝胶，干燥，在通入氩气条件下，加热，反应降至室温；在空气中氧化，再酸洗。本发明具有操作简单，成本低廉，易于规模生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面积 碳化硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高比表面积碳化硅，其特征在于直径为10-20nm，比表面积为60-160m2/g，孔径分布范围为3-100nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院山西煤炭化学研究所，未经中国科学院山西煤炭化学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02130064.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：处理含镍废水的铁氧体法
- 下一篇：利用致电离辐射氧化亚硫酸铵的方法
