[发明专利]具有读出放大器的半导体存储器无效
| 申请号： | 02130179.4 | 申请日： | 2002-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1428784A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 中冈义人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/08 | 分类号： | G11C7/08;G11C7/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 读出放大器(100)经选择门(SG10)和(SG20)与折叠位线对(BLL、/BLL)连接。在读出连接到位线(/BLL)上的存储单元(MC1)的数据时，折叠位线对(BLL、/BLL)处于浮置状态。此时，选择门(SG20)关断，使位线(BLL)从读出节点(SN2)断开。其后，从均衡器(151)对位线(BLL)供给电位。因此，该半导体存储器可抑制存储单元的电荷保持能力的下降，可防止误工作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 读出 放大器 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于：包含：构成折叠位线对的第1和第2位线(BLL、/BLL)；连接到上述第2位线上的存储单元(MC1)；均衡器(151、153、155)，连接到上述第1和第2位线(BLL、/BLL)上，对上述第1和第2位线(BLL、/BLL)进行预充电；第1和第2读出节点(SN2、SN1)；连接到上述第1和第2读出节点(SN2、SN1)上的读出放大器(100)；第1开关电路(SG20)，连接在上述第1位线(BLL)与上述第1读出节点(SN2)之间；第2开关电路(SG10)，连接在上述第2位线(/BLL)与上述第2读出节点(SN1)之间；以及控制电路(20)，控制上述均衡器(151、153、155)和上述第1和第2开关电路(SG20、SG10)，上述均衡器(151、153、155)包含：第1电位供给电路(QN22)，对上述第1位线(BLL)供给规定的电位；以及第2电位供给电路(QN21)，对上述第2位线(/BLL)供给上述规定的电位，上述控制电路(20)在上述均衡器(151、153、155)对上述第1和第2位线(BLL、/BLL)进行了预充电后到上述读出放大器(100)结束工作为止的期间内，在使上述第2开关电路(SG10)导通的原有状态下使上述第1开关电路(SG20)关断，控制上述第1电位供给电路(QN22)，以便对上述第1位线(BLL)供给上述规定的电位。
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