[发明专利]整合高压元件制程的形成高阻值电阻的方法

摘要

在本发明中高压元件结合有混合模式制程，是利用未经掺杂的多晶硅层取代传统的多晶硅层。在高阻值电阻区并未先行离子植入，直到发射极和集电极区完成后才进行之。在此高阻值电阻区，首先蚀刻氧化物－氮化物－氧化物(ONO)层，其次以BF2为离子源对未经掺杂的多晶硅进行离子植入，电阻值是利用植入BF2剂量加以控制。再进行接触窗蚀刻，更高浓度的BF2植入到此高阻值电阻区，以降低接触窗的阻值。

主权项

1.一种于高压元件中整合高阻值电阻制程的方法，该方法包括：提供一底材；形成一第一场氧区和一第二场氧区于该底材上；沉积一第一多晶硅层于该底材、该第一场氧区和该第二场氧区上，其中该第一多晶硅层为未经掺杂的多晶硅；形成一第一光阻层位于该第一场氧区上，其中该第一光阻层具有一电阻图案；利用该第一光阻层为遮罩，进行一第一次离子植入制程至该第一多晶硅层；移除该第一光阻层；形成一氧化物-氮化物-氧化物层于该第一多晶硅层上；蚀刻该氧化物-氮化物-氧化物层和该第一多晶硅层，以形成一电阻位于该第一场氧区上及一电容的一第一电极位于该第二场氧区上；形成一第二多晶硅层于该电容的该氧化物-氮化物-氧化物层上，作为该电容的第二电极；形成一第二光阻层于该底材、该电阻和该电容上，其中该第二光阻层具有一开口图案以暴露出该电阻；移除位于该电阻上的该氧化物-氮化物-氧化物层；进行一第二次离子植入制程到该电阻；移除该第二光阻层；沉积一内层介电层于该底材、该电容和该电阻；蚀刻该内层介电层以形成多个接触窗孔，位于该电容和该电阻上；形成一第三光阻层位于该内层介电层上，其中该第三光阻层具有一开口图案，以暴露出该电阻上的该接触窗孔；利用该第三光阻层为遮罩，进行一第三次离子植入制程至该电阻；进行一快速热处理制程；以及沉积一导电材质层充填该多个接触窗孔。