[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 02130376.2 | 申请日： | 2002-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1416178A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 安原纪夫;中村和敏;川口雄介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件包括形成在半导体衬底表面上的第一导电型的半导体表层；第二导电型源极层；第二导电型漏极层；栅电极；元件侧连接部，与源极层邻接，电阻小于半导体表层，选择地形成在半导体表层上，不到达源极层和漏极层之间的沟道以及半导体衬底；接触侧连接部，与元件侧连接部邻接，电阻小于半导体表层，选择地形成在半导体表层，到达半导体衬底；连接源极层、元件侧连接部和所述接触侧连接部的源电极；位于半导体衬底背面的背面电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底表面上形成的半导体表层，其电阻大于所述半导体衬底；栅电极，形成在所述半导体表层的表面上所形成的栅极绝缘膜上；第一导电型的漏极层，选择地形成在所述栅电极一侧的所述半导体表层上；与所述漏极层连接的漏电极；第一导电型的源极层，选择地形成在所述栅电极另一侧的半导体表层上；元件侧连接部，与所述源极层连接，电阻小于所述半导体表层，选择地形成在所述半导体表层上，不到达所述半导体表层之中的所述源极层和所述漏极层之间的沟道部以及所述半导体衬底；接触侧连接部，电阻小于所述半导体表层，向所述半导体衬底的深度比所述元件侧连接部更深，选择地形成在所述半导体表层；第一源电极，连接所述源极层、所述元件侧连接部和所述接触侧连接部；背面电极，在所述半导体衬底背面与所述半导体衬底连接。
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