[发明专利]静态随机存取存储器单元的制造方法无效
| 申请号： | 02130402.5 | 申请日： | 2002-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1477700A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 廖修汉;杨鸿铭 | 申请（专利权）人： | 连邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;王初 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静态随机存取存储器单元的制造方法。为了因应随着静态随机存取存储器的操作电压不断降低而影响单元的稳定度，并避免静态随机存取存储器在读写操作间的噪声干扰，故本发明是利用两种不同厚度的栅极氧化层作用在存取晶体管以及拉下晶体管上，不但增进SRAM单元的β值，还可以减小单单元的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器单元的制造方法，其特征在于：在以隔离区区隔的存取晶体管及拉下晶体管上执行下列步骤：分别成长第一栅极氧化层于该存取晶体管以及该拉下晶体管上；涂布光阻于该隔离区以及该存取晶体管的第一栅极氧化层上；利用湿式蚀刻方式将该拉下晶体管的第一栅极氧化层去除；移除该隔离区的光阻以及该存取晶体管的第一栅极氧化层上的光阻；同时于第一栅极氧化层以及拉下晶体管上成长第二栅极氧化层；在该第二栅极氧化层上制作电极；并且利用接线技术将该存取晶体管的电极连接至字符线、位线以及位反向线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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