[发明专利]双位罩幕式只读存储器的结构及其制造方法

摘要

一种双位罩幕式只读存储器的结构及其制造方法，此结构包括一基底；一栅极结构，配置在部分基底上；一双位编码区，配置在栅极结构两侧边底下的基底中；至少一间隙壁，配置在栅极结构的两侧；一埋入式漏极，配置在间隙壁两侧的基底中；一掺杂区，配置在埋入式漏极与双位编码区之间的基底中，其中掺杂区的离子型态与双位编码区的离子型态相反，且掺杂区的离子浓度较双位编码区的离子浓度高；一绝缘层，配置在埋入式漏极的上方；以及一字符线，配置在相同一列的栅极结构上。

主权项

1.一种双位罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该结构包括：一基底；一栅极结构，配置在部分该基底上；一双位编码区，配置在该栅极结构两侧边底下的该基底中；至少一间隙壁，配置在该栅极结构的两侧；一埋入式漏极，配置在该间隙壁两侧的该基底中；一掺杂区，配置在该埋入式漏极与该双位编码区之间的该基底中，其特征是，该掺杂区的离子型态与该双位编码区的离子型态相反，且该掺杂区的离子浓度较该双位编码区的离子浓度高；一绝缘层，配置在该埋入式漏极的上方；以及一字符线，配置在该栅极结构的表面上。