[发明专利]具有量子点的存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 02130478.5 | 申请日： | 2002-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1437261A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 崔原凤;蔡洙杜 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用量子器件形成的存储器及其制造方法。存储器包括：一衬底；形成在该衬底上的一源极区和一漏极区，以彼此隔开一预定间隔；一存储单元，形成在该衬底的表面上以连接该源极区和该漏极区，并具有填充有用于储存电子的材料的多个纳米尺度的量子点；以及一控制栅极，该控制栅极形成在存储单元上，并控制储存在该存储单元中的电子数。通过提供具有纳米尺度的量子点的存储器及其制造方法，可以实现高效且高度集成的存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 量子 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：一衬底；形成在该衬底上的一源极区和一漏极区，以彼此隔开一预定间隔；一存储单元，形成在该衬底的表面上以连接该源极区和该漏极区，并具有填充以用于储存电子的材料的多个纳米尺度的量子点；以及一控制栅极，该控制栅极形成在存储单元上，并控制储存在该存储单元中的电子数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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