[发明专利]半导体器件的结构及其制造方法无效
| 申请号： | 02130534.X | 申请日： | 2002-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1476102A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 黄文信;张国华 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的结构及其制造方法，此结构包括一基底；一硅化锗层，配置在基底上；一紧硅层，配置在硅化锗层的表面上；一栅氧化层，配置在部分紧硅层上；一栅极，配置在栅氧化层上；以及一源极/漏极，配置在栅极两侧的紧硅层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的结构，其特征在于：包括：一基底；一硅化锗层，配置在该基底上；一紧硅层，配置在该硅化锗层的表面上；一栅氧化层，配置在部分该紧硅层上；一栅极，配置在该栅氧化层上；一源极/漏极，配置在该栅极两侧的该紧硅层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02130534.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固体摄像装置及其制造方法
- 下一篇：包括氮化层的半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
