[发明专利]利用侧壁聚合物栅极结构形成轻掺杂漏极的方法

摘要

本发明是提供一种利用侧壁聚合物栅极结构形成轻掺杂漏极的方法，其是在一基底表面形成一栅氧化层与多晶硅栅极后，在栅极两旁形成一侧壁聚合物，再以该栅极及侧壁聚合物为屏蔽，进行一浅离子植入步骤，利用该侧壁聚合物的宽度，在侧壁聚合物外的基底中形成一浅离子掺杂区，让浅离子掺杂区在后续的热制程中，横向扩散至侧壁聚合物下方的基底，以形成轻掺杂漏极结构。故可确保栅极下方的信道长度，减少多晶硅栅极与浅离子掺杂区的电容，并可防止击穿效应的产生，使得当组件尺寸缩小的情况下，仍可保持组件的特性，提升产品的合格率。

主权项

1.一种利用侧壁聚合物栅极结构形成轻掺杂漏极的方法，其特征是包括下列步骤：提供一基底，其上已形成有一栅氧化层及多晶硅栅极；于该多晶硅栅极两侧形成一侧壁聚合物；以该栅极与侧壁聚合物为屏蔽，在该基底内进行一浅离子植入，使其在该侧壁聚合物两侧的基底中，形成浅离子掺杂区；及利用热制程，使得该浅离子掺杂区横向扩散至该侧壁聚合物下方的该基底中，以形成轻掺杂漏极结构。